Ag/TiO2/n-InP/Au Schottky Engel Diyodu

Bu çalismada, (100) yönelimli, 500 mim kalinliginda 3,13x1018 cm-3 tasiyici yogunluguna sahip n-InP yariiletkeni üzerine sputtering (püskürtme) metodu ile Ag/TiO2/n-InP/Au yapilar olusturuldu. Arayüzeydeki TiO2 filmler püskürtme cihazinda iki farkli kalinlikta, 60 ve 120 olarak büyütüldü. Bu yapilarin bazi temel parametreleri 120-420 K sicaklik araliginda incelendi. Hazirlanan yapilarin akim-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekligi B ve diger bazi diyot parametreleri hesaplandi. Oda sicakliginda, engel yüksekligi 60 film kalinligi için 0,524 eV, idealite faktörü 1,39 ve 120 film kalinligi için ise 0,50 eV, 1,42 bulundu. Sicaklik artisiyla idealite faktörünün azaldigi, bariyer yüksekliginin ise arttigi gözlendi. Akim iletimi ile ilgili olarak termoiyonik emisyon, Cheung Cheung metodu, Norde metodu uygulanarak parametreler hesaplandi ve bulunan sonuçlar kiyaslandi. Akim-gerilim ölçümlerinden elde edilen verilere Gauss Dagilimi uygulandi ve diyotlarin ikili Gauss Dagilimi verdigi görüldü, ortalama engel yükseklikleri Gauss Dagilimindan hesaplandi.