Carrier Transport in Nanoscale MOS Transistors

Carrier Transport in Nanoscale MOS Transistors

AngličtinaPevná vazba
Tsuchiya Hideaki
John Wiley & Sons Inc
EAN: 9781118871669
Na objednávku
Předpokládané dodání ve čtvrtek, 30. ledna 2025
3 211 Kč
Běžná cena: 3 568 Kč
Sleva 10 %
ks
Chcete tento titul ještě dnes?
knihkupectví Megabooks Praha Korunní
není dostupné
Librairie Francophone Praha Štěpánská
není dostupné
knihkupectví Megabooks Ostrava
není dostupné
knihkupectví Megabooks Olomouc
není dostupné
knihkupectví Megabooks Plzeň
není dostupné
knihkupectví Megabooks Brno
není dostupné
knihkupectví Megabooks Hradec Králové
není dostupné
knihkupectví Megabooks České Budějovice
není dostupné
knihkupectví Megabooks Liberec
není dostupné

Podrobné informace

A comprehensive advanced level examination of the transport theory of nanoscale devices
  • Provides advanced level material of electron transport in nanoscale devices from basic principles of quantum mechanics through to advanced theory and various numerical techniques for electron transport
  • Combines several up-to-date theoretical and numerical approaches in a unified manner, such as Wigner-Boltzmann equation, the recent progress of carrier transport research for nanoscale MOS transistors, and quantum correction approximations
  • The authors approach the subject in a logical and systematic way, reflecting their extensive teaching and research backgrounds
EAN 9781118871669
ISBN 1118871669
Typ produktu Pevná vazba
Vydavatel John Wiley & Sons Inc
Datum vydání 25. listopadu 2016
Stránky 450
Jazyk English
Rozměry 244 x 173 x 20
Země United States
Sekce Professional & Scholarly
Autoři Kamakura Yoshinari; Tsuchiya Hideaki
Edice 1. Auflage
Série IEEE Press