Ferroelectric Random Access Memories

Ferroelectric Random Access Memories

AngličtinaPevná vazba
Springer, Berlin
EAN: 9783540407188
Na objednávku
Předpokládané dodání v pátek, 10. ledna 2025
7 899 Kč
Běžná cena: 8 777 Kč
Sleva 10 %
ks
Chcete tento titul ještě dnes?
knihkupectví Megabooks Praha Korunní
není dostupné
Librairie Francophone Praha Štěpánská
není dostupné
knihkupectví Megabooks Ostrava
není dostupné
knihkupectví Megabooks Olomouc
není dostupné
knihkupectví Megabooks Plzeň
není dostupné
knihkupectví Megabooks Brno
není dostupné
knihkupectví Megabooks Hradec Králové
není dostupné
knihkupectví Megabooks České Budějovice
není dostupné
knihkupectví Megabooks Liberec
není dostupné

Podrobné informace

In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on. This book covers from fundamentals to applications of ferroelectric random access memories (FeRAMs). The book consists of 5 parts: (1) ferroelectric thin films, (2) deposition and characterization methods, (3) fabrication process and circuit design, (4) advanced-type memories, and (5) applications and future prospects; each part is further divided into several chapters. Because of the wide range of topics discussed, each chapter in this book was written by one of the best authors knowing the specific topic very well. Thus, this is a good introductory book on FeRAM for graduate students and newcomers to this field; it also helps specialists to understand FeRAMs more deeply.

EAN 9783540407188
ISBN 3540407189
Typ produktu Pevná vazba
Vydavatel Springer, Berlin
Datum vydání 16. dubna 2004
Stránky 291
Jazyk English
Rozměry 235 x 155
Země Germany
Sekce Professional & Scholarly
Ilustrace XIII, 291 p.
Editoři Arimoto Yoshihiro; Ishiwara Hiroshi; Okuyama Masanori
Série Topics in Applied Physics