Dielektrische Hoch-K-MOSFETs treiben die technologische Entwicklung voran

Dielektrische Hoch-K-MOSFETs treiben die technologische Entwicklung voran

GermanPaperback / softback
Puja, Acharya
Verlag Unser Wissen
EAN: 9786207053490
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Detailed information

Die Fortschritte in der High-k-Fertigungstechnologie haben enorme Fortschritte in der Mikroelektronikindustrie ermöglicht, indem sie sowohl die Leistung einzelner Transistoren verbessert als auch die Integration von mehr Transistoren auf einem Chip ermöglicht haben. In den kommenden Jahren könnte MOS mit High-k die Szenarien für die Herstellung kleiner Transistoren verändern. Daher sollten die Studien zu diesem Bauelement mit intensiven Experimenten fortgesetzt werden. Die Auswirkungen des High-k-Dielektrikums (TiO2) werden auch bei NMOS-Transistoren beobachtet. Es wurde festgestellt, dass der Leckstrom unter der Schwelle mit zunehmender Schwellenspannung abnimmt; dies reduziert den Stromverbrauch und verbessert somit die Leistung des NMOS-Transistors. Durch die Verringerung des Gate-Leckstroms und des Sub-Threshold-Swing ist die High-k-NMOS-Struktur eine gute Alternative für zukünftige Nanoscale-MOS-Bauelemente. Aus der Analyse lässt sich auch schließen, dass die Schwellenspannung mit der Verkleinerung der Bauelemente sinkt.
EAN 9786207053490
ISBN 6207053494
Binding Paperback / softback
Publisher Verlag Unser Wissen
Publication date January 16, 2024
Pages 76
Language German
Dimensions 229 x 152 x 5
Authors Puja, Acharya